DDR2 (ორმაგი მონაცემთა სიჩქარე 2) SDRAM არის ახალი თაობის მეხსიერების ტექნოლოგიის სტანდარტი, რომელიც შემუშავებულია JEDEC (ელექტრონული აღჭურვილობის ერთობლივი კომიტეტის) მიერ. ყველაზე დიდი განსხვავება მასსა და წინა თაობის DDR მეხსიერების ტექნოლოგიის სტანდარტს შორის არის ის, რომ მართალია იგივე იყენებს მზარდ საათს / მონაცემთა გადაცემის ძირითადი მეთოდი დაყოვნებისას, მაგრამ DDR2 მეხსიერებას აქვს წინა თაობის DDR მეხსიერების წინასწარ წაკითხვის მოცულობა ( ანუ: 4 ბიტიანი მონაცემები წაკითხულია წინასწარ მიღებამდე). სხვა სიტყვებით რომ ვთქვათ, DDR2 მეხსიერებას შეუძლია წაიკითხოს / ჩაწეროს მონაცემები საათში 4 ჯერ მეტი სიჩქარით, ვიდრე გარე გამტარზე და შეუძლია იმუშაოს შიდა კონტროლის ავტობუსის სიჩქარეზე 4 ჯერ მეტი სიჩქარით.
1. ძირითადი პრინციპები:
DDR– სთან შედარებით, DDR2– ის მთავარი გაუმჯობესება არის ის, რომ მას შეუძლია უზრუნველყოს DDR მეხსიერების სიჩქარის ორჯერ მეტი სიჩქარე, როდესაც მეხსიერების მოდულის სიჩქარე იგივეა. ეს ძირითადად მიიღწევა ორი DRAM ბირთვის ეფექტურად გამოყენებით თითოეულ მოწყობილობაზე. ამის საპირისპიროდ, DDR მეხსიერებას შეუძლია გამოიყენოს მხოლოდ ერთი DRAM ბირთვი თითოეულ მოწყობილობაზე. ტექნიკურად რომ ვთქვათ, DDR2 მეხსიერებაში ჯერ კიდევ მხოლოდ ერთი DRAM ბირთვია, მაგრამ მასზე წვდომა შესაძლებელია პარალელურად, 4 წვრილმანის დამუშავება თითოეულში ორიდან ორი.
მონაცემთა ბუფერულთან ერთად, რომელიც მუშაობს ორმაგი სიჩქარით, DDR2 მეხსიერებას შეუძლია საათის ციკლში მონაცემების დამუშავება 4 ბიტამდე, რაც ორჯერ აღემატება 2 ბიტიან მონაცემს, რომლის დამუშავებაც შესაძლებელია ტრადიციული DDR მეხსიერებით. DDR2 მეხსიერების კიდევ ერთი გაუმჯობესება ის არის, რომ იგი იყენებს FBGA შეფუთვას ტრადიციული TSOP მეთოდის ნაცვლად.
ამასთან, მიუხედავად იმისა, რომ DDR2 მეხსიერება იყენებს იგივე DRAM ბირთვულ სიჩქარეს, როგორც DDR, ჩვენ მაინც უნდა გამოვიყენოთ ახალი დედაპლატა DDR2 მეხსიერებისთვის, რადგან DDR2- ის ფიზიკური მახასიათებლები შეუთავსებელია DDR- ს. პირველი, ინტერფეისი განსხვავებულია. DDR2– ს აქვს 240 პინი, ხოლო DDR– მეხსიერებას აქვს 184 პინი. მეორეც, DDR2 მეხსიერების VDIMM ძაბვაა 1.8V, რაც ასევე განსხვავდება DDR მეხსიერების 2.5V– სგან.
გარდა ამისა, რადგან DDR2 სტანდარტი ადგენს, რომ ყველა DDR2 მეხსიერება შეფუთულია FBGA– ში, განსხვავებით ამჟამად ფართოდ გამოყენებული TSOP / TSOP-II პაკეტისა, FBGA პაკეტს შეუძლია უზრუნველყოს უკეთესი ელექტრული შესრულება და სითბოს გაფრქვევა, რაც DDR2 სტაბილური მეხსიერებაა. მუშაობა და სამომავლო სიხშირეების განვითარება მყარ საფუძველს ქმნის. გავიხსენოთ DDR– ის განვითარება, პირველი თაობის DDR200– დან, რომელიც გამოიყენება პერსონალურ კომპიუტერებზე DDR266, DDR333– ით დღევანდელ ორმაგ არხულ DDR400 ტექნოლოგიამდე, პირველი თაობის DDR– ს განვითარებამ მიაღწია ტექნოლოგიურ ზღვარს და გაუჭირდა გაუმჯობესება მეხსიერება ჩვეულებრივი მეთოდებით. Intel- ის უახლესი პროცესორული ტექნოლოგიის განვითარებით, წინა ავტობუსი მოითხოვს უფრო და უფრო მაღალ მეხსიერების გამტარობას, ხოლო DDR2 მეხსიერება უფრო მაღალი და უფრო სტაბილური ოპერაციული სიხშირეებით, ზოგადი ტენდენცია იქნება.
სანამ DDR2 მეხსიერების ბევრ ახალ ტექნოლოგიას გავიგებთ, მოდით განვიხილოთ მონაცემთა ნაკრები, სადაც შედარებულია DDR და DDR2 ტექნოლოგიები.
1) შეფერხების პრობლემა:
როგორც ზემოთ მოყვანილი ცხრილიდან ჩანს, იმავე ძირითადი სიხშირის მიხედვით, DDR2– ის რეალური სამუშაო სიხშირე ორჯერ აღემატება DDR– ს. ეს გამოწვეულია იმით, რომ DDR2 მეხსიერებას აქვს ორჯერ 4BIT სტანდარტული DDR მეხსიერების წინასწარ წაკითხვის შესაძლებლობა. სხვა სიტყვებით რომ ვთქვათ, მიუხედავად იმისა, რომ DDR2, ისევე როგორც DDR, იყენებს მონაცემთა გადაცემის ძირითად მეთოდს, ამავდროულად, როგორც საათის აწევა და დაცემა, მაგრამ DDR2– ს აქვს DDR– ს ორჯერ შესაძლებლობა, წინასწარ წაიკითხოს სისტემის ბრძანების მონაცემები. სხვა სიტყვებით რომ ვთქვათ, იგივე ოპერაციული სიხშირე 100MHz, DDR– ის რეალური სიხშირეა 200MHz, ხოლო DDR2– ს შეუძლია მიაღწიოს 400MHz.
ამ გზით, კიდევ ერთი პრობლემა ჩნდება: DDR და DDR2 მეხსიერებაში იგივე ოპერაციული სიხშირით, ამ უკანასკნელის მეხსიერების შეყოვნება უფრო ნელია, ვიდრე ყოფილი. მაგალითად, DDR 200 და DDR2-400 იგივე შეფერხება აქვთ, ხოლო ამ უკანასკნელს ორჯერ აქვს გამტარობა. სინამდვილეში, DDR2-400 და DDR 400 აქვს ერთი და იგივე გამტარობა, ორივე 3.2 გბ / წმ, მაგრამ ძირითადი ოპერაციული სიხშირე DDR400 არის 200 მეგაჰერციანი, ხოლო ძირითადი ოპერაციული სიხშირე DDR2-400 არის 100 მეგაჰერცი, რაც ნიშნავს DDR2– ის შეფერხებას. -400 ის უფრო მაღალია ვიდრე DDR400.
2) კაფსულაცია და სითბოს წარმოქმნა:
DDR2 მეხსიერების ტექნოლოგიის ყველაზე დიდი გარღვევა სინამდვილეში არ არის ის, რომ მომხმარებლები ორმაგად ფიქრობენ DDR– ის გადაცემის სიმძლავრეზე, მაგრამ უფრო დაბალი სითბოს წარმოქმნით და ენერგიის ნაკლები მოხმარებით, DDR2– ს შეუძლია მიაღწიოს სიხშირის უფრო სწრაფ ზრდას და მიღწევებს. სტანდარტული DDR 400MHZ ლიმიტი.
DDR მეხსიერება ჩვეულებრივ შეფუთულია TSOP ჩიპში. ამ პაკეტს შეუძლია კარგად იმუშაოს 200 მეგაჰერციანზე. როდესაც სიხშირე უფრო მაღალია, მისი გრძელი ქინძისთავები წარმოქმნის მაღალ წინაღობას და პარაზიტულ ტევადობას, რაც გავლენას მოახდენს მის მუშაობაზე. სტაბილურობისა და სიხშირის სირთულე იზრდება. სწორედ ამიტომ ძნელია DDR– ის ძირითადი სიხშირის გარღვევა 275MHZ. და DDR2 მეხსიერება იღებს FBGA პაკეტის ფორმას. განსხვავებით ამჟამად ფართოდ გამოყენებული TSOP პაკეტისგან, FBGA პაკეტი უზრუნველყოფს უკეთეს ელექტრულ მუშაობას და სითბოს გაფრქვევას, რაც კარგ გარანტიას იძლევა DDR2 მეხსიერების სტაბილური მუშაობისა და მომავალი სიხშირეების განვითარებისათვის.
DDR2 მეხსიერება იყენებს 1.8V ძაბვას, რაც გაცილებით დაბალია ვიდრე DDR სტანდარტულ 2.5V, რაც უზრუნველყოფს მნიშვნელოვნად მცირე ენერგიის მოხმარებას და ნაკლებ სითბოს. ეს ცვლილება მნიშვნელოვანია.
2. ახალი ტექნოლოგიები, მიღებული DDR2– ის მიერ:
ზემოთ აღნიშნული განსხვავების გარდა, DDR2 ასევე შემოაქვს სამი ახალი ტექნოლოგია, ესენია OCD, ODT და Post CAS.
OCD (Off-Chip Driver): ეს არის ე.წ. ოფლაინ დისკის რეგულირება. DDR II– ს შეუძლია გააუმჯობესოს სიგნალის მთლიანობა OCD– ის საშუალებით. DDR II არეგულირებს დაწევის / დაწევის წინააღმდეგობის მნიშვნელობას, რათა ორი ძაბვა იყოს თანაბარი. გამოიყენეთ OCD სიგნალის მთლიანობის გასაუმჯობესებლად DQ-DQS– ის დახრილობის შემცირებით; გააუმჯობესოს სიგნალის ხარისხი ძაბვის კონტროლით.
ODT: ODT არის ჩაშენებული ბირთვის დამთავრების რეზისტორი. ჩვენ ვიცით, რომ დედა დაფაზე საჭიროა დიდი რაოდენობით დამამთავრებელი რეზისტორების გამოყენება DDR SDRAM– ის გამოყენებით, რათა არ მოხდეს სიგნალის ასახვა მონაცემთა ხაზის ტერმინალში. ეს მნიშვნელოვნად ზრდის დედაპლატის წარმოების ღირებულებას. სინამდვილეში, მეხსიერების სხვადასხვა მოდულს აქვს განსხვავებული მოთხოვნები შეწყვეტის სქემისთვის. შეწყვეტის რეზისტორის ზომა განსაზღვრავს მონაცემთა ხაზის სიგნალის თანაფარდობას და ამრეკლაციას. თუ შეწყვეტის წინააღმდეგობა მცირეა, მონაცემთა ხაზის სიგნალის ანარეკლი დაბალია, მაგრამ სიგნალი-ხმაურის თანაფარდობაც დაბალია; თუ შეწყვეტის წინააღმდეგობა მაღალია, მონაცემთა ხაზის სიგნალ-ხმაურის თანაფარდობა მაღალი იქნება, მაგრამ ასევე გაიზრდება სიგნალის ანარეკლი. ამიტომ, დედაპლატაზე შეწყვეტის წინააღმდეგობა კარგად ვერ ემთხვევა მეხსიერების მოდულს და ეს გარკვეულწილად იმოქმედებს სიგნალის ხარისხზე. DDR2– ს შეუძლია შექმნას შესატყვისი დამთავრების რეზისტორები საკუთარი მახასიათებლების შესაბამისად, რათა უზრუნველყოს სიგნალის ტალღის საუკეთესო ფორმა. DDR2– ის გამოყენებით შეგიძლიათ არა მხოლოდ შეამციროთ დედაპლატის ღირებულება, არამედ მიიღოთ საუკეთესო სიგნალის ხარისხი, რომელიც შეუდარებელია DDR– ს.
განათავსე CAS: იგი შექმნილია DDR II მეხსიერების გამოყენების ეფექტურობის გასაუმჯობესებლად. Post CAS ოპერაციაში CAS სიგნალი (წაკითხვა / ჩაწერა / ბრძანება) შეიძლება ჩასმული იყოს საათის ციკლი RAS სიგნალის შემდეგ, ხოლო CAS ბრძანება შეიძლება დარჩეს მოქმედი დამატებითი შეფერხების შემდეგ (დანამატის შეყოვნება). ორიგინალ tRCD (RAS– დან CAS– მდე და შეფერხება) ჩანაცვლებულია AL– ით (დანამატის შეყოვნება), რომლის დაყენება შეიძლება 0, 1, 2, 3, 4 – ით. ვინაიდან CAS სიგნალი მოთავსებულია საათის ციკლიდან RAS სიგნალის შემდეგ, ACT და CAS სიგნალები არასდროს დაეჯახება ერთმანეთს.
ზოგადად, DDR2 იყენებს ბევრ ახალ ტექნოლოგიას DDR– ის მრავალი ნაკლის გასაუმჯობესებლად. მიუხედავად იმისა, რომ ამჟამად მას მრავალი ხარვეზი აქვს მაღალი ღირებულებისა და ნელი შეყოვნების თვალსაზრისით, ითვლება, რომ ტექნოლოგიის უწყვეტი გაუმჯობესებით და გაუმჯობესებით, ეს პრობლემები საბოლოოდ მოგვარდება. .
ჩვენი სხვა პროდუქტი:
