Etapa de salida RF de 360w

Con tan sólo dos transistores trabajando en paralelo se logra esta etapa de salida que prove una potencia total de 360 ​​vatios con tan sólo 40 en su entrada.

Philips Semiconductors BLX15, Centre de este proeecto son dos transistores de potencia de RF transistores de potencia, დააჭირეთ პარამეტრების კონფიგურაციას. Las únicas tres rezistencias del sistem deben ser 10 watts y de carbón, ambos transistores deben estar debidamente disipados a fin de no sobrecalentarse.

Todas las bobinas marcadas como BI sin del tipo impresas, las cuales están dibujadas en la plaqueta por medio de pistas de cobre. RFC (uno en cada base) ვაჟთა რჩევა RF საკონკურსო დაწესებულებებში. CH არის un bobina de 2 vueltas de alambre 1.5 mm sobre ferrite for choques. Las bobinas L (una en cada colector) არის ფორმატის ფორმა, რომელიც მოიცავს 3 მმ 1.5 მმ სიგანეზე 9 მმ.

El ajuste de esta etapa se realiza de izquierda derecha, desde la entrada hacia la salida, con carga fantasma de ser posible.

Aquí está en esala რეალური el დაავადება და del circuito impreso el cual debe ser de doble cara (la otra debe ser Completede cobre) y en material epoxy.

Los კომპონენტები colocan siguiendo la siguiente guía:

Una vez armado y calibrado el módulo puede ser colocado dentro de un gabinete (შეღავათიანი მეტალიკი). ეს არის რეკომენდებული montar la fuente de alimentación en el Interior del mismo gabinete a fin de minimizar la absorción de ruidos.

Dada la potencia (en nuestro caso) decidimos dotar a la unidad de potencia de ventiladores eléctricos. 50 ვოლტიანი და 7 ამპერული შემცველობა.

ჩვენი სხვა პროდუქტი:

პროფესიონალური ელვისებური დაცვის სისტემა Tower-ისთვის	პროფესიონალური FM რადიოსადგურის აღჭურვილობის პაკეტი	FMUSER FU-1000C 1000W FM გადამცემი USB აუდიო შეყვანის ინტერფეისით
FMUSER 200W FM რადიომაუწყებლობის პაკეტი	სასტუმრო IPTV Solution	FMUSER FSN-1000T V5.0 1KW FM რადიომაუწყებლობის გადამცემი