მობილური ტელევიზორი, რომელსაც აქვს წინა ბოლო, უნდა ჰქონდეს მგრძნობელობა, რომ გადამცემიდან შორს იმუშაოს და ძლიერი სიგნალის არსებობისას გადაიტანოს გადატვირთვა. ეს შეიძლება ინტეგრირებული იყოს ავტომობილების გასართობ სისტემებში (ICE), აგრეთვე მობილური ტელევიზორის მიღების შესაძლებლობებში სხვადასხვა პორტატულ ელექტრონულ მოწყობილობებში, როგორიცაა მობილური ტელეფონები, პორტატული ციფრული ასისტენტები (PDA) და ნოუთბუქ კომპიუტერებში, თუნდაც მანძილი იყოს მომხმარებლის მიმღები და გადამცემი განსხვავდება. იგი ასევე კარგად უნდა მუშაობდეს გრაფიკის შეცვლის პირობებში (განსხვავებული ტრადიციული სამაუწყებლო და ტელევიზიური). მაღალმოსარგებლიანი დაბალი ხმაურის გამაძლიერებლის (LNA) კომბინაციას PIN დიოდური შემოვლითი ჩამრთველის საშუალებით შეგიძლიათ მიაღწიოთ დაბალფასიან გადაწყვეტილებას მობილური ტელევიზორის მიმღების წინა ნაწილისთვის გადატვირთვისაგან დაცვით და მაღალი მგრძნობელობით.
მობილური სატელევიზიო მიმღების რეალიზაციის ყველაზე პრაქტიკული გზაა მიმღების მომატების შემცირება ძლიერი სიგნალის პირობებში. ცვლადი RF სიგნალის მომატება ამარტივებს მიქსერის ეტაპის სწორხაზოვან მოთხოვნებს, რაც საშუალებას იძლევა გამოიყენოთ დაბალი ღირებულება RF IC- ები მიმღების მოდულების ასაშენებლად. კასკადი ანალიზის დროს, რომელსაც შეუძლია შეცვალოს / რეგულირებადი მომატება მიმღების წინა ბოლოზე, მესამე რიგის ინტერმოდულაციის ჩაჭრის წერტილის (IIP3) გაუმჯობესება იქნება მოგების ცვლილების ფუნქცია. ფიქსირებული მომატების მიმღებებთან შედარებით, რეგულირებადი მოგების მიმღებები უკეთესად გაუმკლავდებიან ძლიერ სიგნალებს.
ავტომატური მომატების კონტროლის (AGC) სქემა ასევე შეიძლება გამოყენებულ იქნას LNA მომატების შესაცვლელად და რადგან AGC ჩვეულებრივ ხორციელდება არხის ფილტრის წინ, მას შეუძლია რეაგირება მომიჯნავე არხის გადაცემიდან გადატვირთულობაზე.
RF მოგების შემცირების ერთ-ერთი გზაა LNA– ს მიყოლებით RF სიგნალის ნაწილის გადატანა. ეს მეთოდი იყენებს RF გადართვის ელემენტების მინიმუმ რაოდენობას, მაგრამ როდესაც ჩართულია გამორთული, წინაღობა არ ემთხვევა, რამაც შეიძლება გავლენა მოახდინოს სისტემის სხვა ნაწილებზე. გადაადგილების მეთოდი ამორტიზებელი ელემენტის LNA პარალელური რეზონანსული ქსელის მაღალ წინაღობასთან ან "ცხელ" ბოლოსთან დაკავშირებას წარმოადგენს, თუმცა მოგების უფრო დიდი კონტროლის დიაპაზონის გათვალისწინებით, ეს მიდგომა სწირავს RF შერჩევას LNA– ს წინაშე.
როდესაც მიღებული სიგნალი გადატვირთავს LNA- ს მიღმა მდგარ ეტაპებს (მაგალითად, მიქსერი ან შუალედური სიხშირის გამაძლიერებელი), RF კონცენტრატორის წყვილი ასევე შეიძლება გამოყენებულ იქნას LNA ეტაპის გვერდის ავლით. შემოვლითი მდგომარეობის დროს, შეყვანის სიგნალი პირდაპირ გადადის ქვევით გადამყვანი IC- ზე. სანამ შემოვლითი სიგნალის ციკლი კომპონენტები ემთხვევა დამახასიათებელ წინაღობას (მობილური ტელევიზორი 75Ω), შეუსაბამობის ალბათობა მინიმუმამდე იქნება დაყვანილი. რა თქმა უნდა, დამატებული ჩამრთველი წრე უფრო რთულდება.
კიდევ ერთი გზაა შემცირება RF მოგებით LNA– ს აქტიურ მოწყობილობაში მოწოდებული მშვიდი დენის შემცირებით. გამაძლიერებლები და მოწყობილობები, რომლებიც იყენებენ ამ ტექნოლოგიას, როგორიცაა ორმაგი კარიბჭე MOSFET, იყენებენ მოწყობილობის დამატებით ტერმინალებს მიკერძოებული დენის გასაკონტროლებლად. იმის გამო, რომ არ არის გამოყენებული გადართვის ელემენტი, ამ მოგების მართვის მეთოდი უმარტივესია წრეში, მაგრამ რადგან კოლექტორი / გადინების მიმდინარეობა დაბალია ვიდრე შეფასებული მოწყობილობის DC სამუშაო წერტილზე, მისი სწორხაზოვნება ეწირება.
იმისათვის, რომ დააკმაყოფილოს LNA– ს მომხმარებლის მოთხოვნები ორმაგ რეჟიმში (ანალოგურ / ციფრულ) მობილური სატელევიზიო მიმღებში, რომლებიც მუშაობენ 47 ~ 870 მჰც სპექტრში, განიხილეს რამდენიმე MMIC ვარიანტი, მაგრამ მათი სწორხაზოვნება არ იყო საკმარისად კარგი, ამიტომ ისინი არ მიიღეს. აქ მიიღება ფართოზოლოვანი მაღალი ხაზოვანი MMIC LNA (MGA-68563 ტიპის) და გარე PIN დიოდური შეცვლა სქემის შესაქმნელად.
GaAs PHEMT LNA ამ ერთსაფეხურიანი მოწყობილობის კარიბჭის სიგანე 800 მიკრონია (სურათი 3). მოწყობილობის კარიბჭე უკავშირდება შიდა დენის სარკეს, პროცესის ცვლილებების ეფექტის შესავსებად და ბარიერის ძაბვის ვარიაციების ეფექტის შესამცირებლად. LNA იყენებს დაკარგულ ნეგატიურ უკუკავშირს სტაბილურობის მისაღწევად და ამპლიტუდის რეაქციის დასტაბილურებლად 3dB ფანჯარაში (± 1.5 dB) 100MHz ~ 1GHz სპექტრში.
მისი შიდა უკუკავშირისა და გამომავალი დაბრუნების დანაკარგის 10dB– ზე ნაკლები, ამ MMIC არ საჭიროებს გამომავალი წინაღობის შესაბამისობას. ამასთან, ასეთი ფართო სიხშირის დიაპაზონში (47 ~ 870 მჰც) შეყვანის შეთავსება რთული აღმოჩნდა და არატრადიციულ მეთოდს მოითხოვს. შეყვანის დაბრუნების დანაკარგის ინდექსის ოპტიმიზაციის მიზნით, FET– ის გადინების მიმდინარეობა (Ids) უნდა იყოს მაღალი. ნომინალური ღირებულებაა 10mA. 20mA პირადობის მოწმობები შეიძლება აკმაყოფილებდეს შეყვანის დაბრუნების დანაკარგის შესრულების მოთხოვნებს, მაგრამ ID- ები შეირჩა როგორც 30mA, რომ იგი საკმარისად განიერი გახადოს დამატებით PIN დიოდის გადართვის სქემით გამოწვეული ნებისმიერი ზემოქმედების კომპენსაცია. MMIC LNA– ის ქინძი 4 აკონტროლებს მიმდინარე მიკროორგანიზაციას შიდა მიკერძოებული დენის გენერატორში, გარე რეზისტორის მეშვეობით R1. R1 ზომის შეცვლა შეცვლის ID– ებს, მაგრამ ელექტროენერგიის მიწოდება ძაბვა Vd დარჩება 3V– ზე. ნომინალურ ID– ებზე სამჯერ უფრო მაღალი ხაზოვნების უზრუნველყოფა შეუძლია.
LNA / ჩამრთველის სქემის შემუშავებისას, დასაწყისში შემოვლითი გადამრთველით გამოიყენებოდა 4 PIN დიოდი. ეს არის ჩვეულებრივი კონფიგურაცია ორმაგი ბოძზე ორმაგი განშლის (DPDT) კონცენტრატორებისთვის. ამ სქემის მუშაობის პრინციპია, რომ წყვილი PIN დიოდების ზედა ნაწილზე ჩატარება მოხდეს, ხოლო წყვილი ქვედა ნაწილზე იყოს ნულოვანი მიკერძოება და პირიქით. ნორმალური მუშაობის დროს, მხოლოდ PIN დიოდების დაბალი წყვილი ახორციელებს და LNA აძლიერებს RF სიგნალს. როდესაც RF მოგება უნდა შემცირდეს, PIN დიოდების ზედა წყვილი ჩართულია და RF სიგნალი გადაადგილდება LNA– ს გარშემო შემოვლითი რეჟიმში. ეს რეზისტორები გამოიყენება PIN დიოდის წინამორბედი დენის შესასწორებლად და RF სიგნალის გამოსაყოფად VSW1 და VSW2 ლოგიკური კონტროლის პორტებიდან. პირველ დიზაინში ბევრი კომპონენტი იყო გამოყენებული, ამიტომ უფრო მარტივი გამოსავალი იყო საჭირო.
მომხმარებლებთან კომუნიკაციის საშუალებით, ჩვენ შევქმენით უფრო მარტივი ორმაგი პოლუსიანი ერთჯერადი გასროლა (DPST) ჩამრთველი, რომელიც მხოლოდ შემოვლითი და გასასვლელი პორტების შემოვლითი გზის შეერთებას ან გათიშვას საჭიროებს. ვინაიდან LNA ბილიკის გადართვა აღარ ხორციელდება, მიუკერძოებელი FET– ის თანდაყოლილი იზოლაციის მახასიათებლების გამოსაყენებლად, LNA– ს ელექტრომომარაგება (Vdd) უნდა გამორთოთ გვერდის ავლით რეჟიმში. ეს მიდგომა ამცირებს შემოვლითი გზის დაბრუნების დანაკარგის მაჩვენებელს, რადგან ამ გზას აქვს მიუკერძოებელი FET– ების პარალელურად სასრული კარიბჭე და გადინების წინაღობა.
ნორმალური მუშაობის დროს, PIN დიოდის ელექტროენერგიის მიწოდება გამორთულია (VSW = 0V), ხოლო LNA დენის მიწოდება კვლავ აღდგება 3V– მდე. ამასთან, ამ ნულოვანი მიკერძოების PIN დიოდებზე გავლენას ახდენს პარაზიტული გამტარუნარიანობა, ამიტომ LNA– ს მომატება და დაბრუნების ზარალის მაჩვენებელი დაქვეითებულია შეყვანის და გამომავალი პორტებიდან შემოვლითი გზის არასრული იზოლირების გამო.
ჩვენი სხვა პროდუქტი:
